Parallel NAND Flash
上海复旦微電気子集团有限公司(適用简称FMSH)是中国专业から事ASIC
Parallel NAND Flash
Parallel NAND Flash
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FMSHは産業標準を満たすSLC Parallel NAND Flashメモリを提供させ、使用電圧の範囲は2.7V~3.6V、製品の容量は1Gbits~4Gbitsとなり、嵌め込み型システムのコード保存について、それが活用される。応用分野は、もののインターネット、自動車、ネットワーク、保存、セットトップボックス、ネットコム、デジタルテレビ、携帯電話、工業などを含める。

製品特徴:

●  容量:1Gbit から4Gbitまで

● インタフェース:ONFI

● 使用電圧:2.7V-3.6V

● 高い信頼性: 10年にわたりデータを保存し、装置ごとについて、100kの書き込みサイクルが見られる

● 嵌め込み型ECC

● パッケージ:TSOP48

部品番号

詳しい情報

容量

セルタイプ

ページサイズ

ECC

バス幅

使用電圧

速度 (ns)

パッケージ

グレード

FM29G01C

ダウンロード

1Gbit

SLC

2KB

4-bit

x8

2.7V-3.6V

25

TP

G

FM29S01

ダウンロード

1Gbit

SLC

2KB

1-bit

x8

2.7V-3.6V

25

TP

G

FM29S02

ダウンロード

2Gbit

SLC

2KB

1-bit

x8

2.7V-3.6V

25

TP

G

FM29G04C

ダウンロード

4Gbit

SLC

2KB

4-bit

x8

2.7V-3.6V

25

TP

G


●パッケージ:  PD=PDIP8, SO=SOP8(150mil) or SOP14, SOB=SOP8(208mil), TS=TSSOP8 or TSSOP14, MS=MSOP8, VSA=VSOP8(150mil), UN=UDFN(2*3), DN=TDFN8(2*3), US=USON8(2*3), SN=USON(0.45mm), DNA=TDFN8(5*6), DND=TDFN(6*8), ST=TSOT23-5L or TSOT23-6L, BGB=BGA24(6*8), CSP=WLCSP, QND=QFN16, TP=TSOP48

● 状態: M=大量生産, S=見本, UD=開発中, N=新しい設計への使用を勧めない  

装置グレード

説明

G

-40 から 85まで、工業グレード、RoHS&REACH を満たす .

A1

-40 から 125まで、自動車グレード1RoHS&REACH.を満たす

A2

-40 から 105まで、自動車グレード2RoHS&REACH.を満たす

E0/E1/E2

温度範囲がさらに広い、詳しい情報について、販売者と連絡してください

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